锑化镓（GaSb）晶体在红外探测和激光领域有很好的发展前景，以GaSb为衬底发展起来的二类超晶格结构红外探测器性能优异，在中红外波段有重要应用，如制作多种用途的军用红外探测器件以及用于火灾报警和环境污染检测的传感器等；同时GaSb还可用于制备2-5µm波段的光发射器件（LED和激光器件），应用于光通信、激光、光敏探测等各种工程领域。GaSb材料在国外已有规模应用，但我国尚处于起步阶段。

有研光电新材料有限责任公司在III-V族半导体单晶生长领域拥有较强的技术基础，经市场调研与技术论证，于2019年11月立项开展GaSb单晶研发工作。在设备场地等实验条件建成后，科研小组历时两个月，共实施10余次拉晶实验，于2020年8月成功生长出直径2.5英寸GaSb单晶，晶体完整性良好。

下一步，有研光电将进一步优化晶体的电学参数并降低位错密度，争取年内进入市场。